Поиск:
Материнские платы

03.06.2005 01:20

Влияние задержек памяти на производительность Athlon 64. Обзор материнской платы MSI K8N DIAMOND

Мы продолжаем рассматривать материнские платы, основанные на наборе логики NVIDIA nForce 4 SLI, и сегодня к нам на тестирование попала материнская плата MSI K8N DIAMOND. О том, что это за продукт, мы поговорим несколько позже… А пока у нас вступление :), в котором хотелось немного порассуждать о шаблонности. Рассматривать платы нужно и полезно, давать советы о выборе также нужно и полезно, но шаблонность материалов, именно шаблонность и именно  в материалах, посвященных платам на одном чипсете (ведь зачастую "материнки", в основу которых лег один и тот же набор логики, отличаются немногим), является огромной ложкой дегтя в бочке меда, даже самого сладкого и вкусного материала.

Писать о практически одинаковых продуктах разносторонне интересно и очень сложно, да и в конечном итоге мы получим "те же яйца, только в профиль"… "Хорошо" – если очередной предмет обзора мега-супер ТОР компании первого звена, там есть что описать, есть что оттестировать, но рынок Hi-End'ом не един, да и читатели – конечные потребители в основном покупают mainstream-продукты, т.е. им в первую очередь будет интересно читать о продукте, который они хотят купить: почитали – выбрали – купили. В итоге что мы имеем? А имеем диктуемые рынком условия: обзоры практически идентичных продуктов нужны, как воздух. Это факт. Есть ли выход? Выход всегда есть:) Можно писать, а можно и не писать… Мы уже выяснили, что писать нужно. Менять стиль на новый в обзоре очередного продукта – бред, ибо ничего нового читателю мы не откроем, по сути, в обзоре X та же информация, что и в обзоре Y, но только в другом виде, т.е. "те же яйца, только в профиль". Автор данного материала долго думал, что можно привнести в обзоры материнских плат. Идея пришла неспешно. Отныне по возможности в обзоры материнских плат мы ("По крайней мере, за себя я ручаюсь, однако все без фанатизма и по возможности",- Артемий Семенков) будем вносить некую "фишку", которая будет разнообразить  этот материал. Это может быть расширенное тестирование производительности в компьютерных играх или развернутое тестирование звукового решения, или влияние задержек/таймингов памяти на производительность AMD Athlon 64 в составе очередной системной Socket 939 платы. Как видите, мы неспроста вынесли фразу "влияние задержек/таймингов памяти на производительность AMD Athlon 64" в название материала, который вы читаете. В рамках этого материала мы не только поговорим о материнской плате MSI K8N DIAMOND, но и затронем столь актуальную тему таймингов в системах, собранных на процессоре AMD Athlon 64. Прежде всего небольшой ликбез по DDR SDRAM памяти и по настройке подсистемы памяти.

DDR SDRAM память

Прежде всего давайте остановимся на принципе работы  DDR SDRAM. Модули памяти располагают чипами DRAM, которые синхронно отсылают данные с тактовым импульсом, и в случае с DDR-памятью,имеют удвоенную шину (данные передаются в обоих фронтах тактового импульса).

Мало-мальски "продвинутый" пользователь знает, что быстродействие памяти обуславливается наносекундами (нс). Так называемые нс показывают время цикла. Например, модули, работающие с частотой 200 МГц (DDR400), имеют время цикла 5 нс. Это означает, что модуль работает со скоростью 200 миллионов тактов в секунду.

Сама память представляет из себя совокупность строк и столбцов, т.е. емкость чипа определяет ни что иное, как количество этих самых строк и столбцов. Соответственно, банк памяти представляет собой несколько объединенных массивов.

Адресация чипов происходит при помощи специальных сигналов:

  • RAS – строба адреса строки;
  • CAS – строба адреса столбца;
  • WE – разрешение записи;
  • CS – выбор чипа;
  • DQ – дополнительные команды.

Знакомые аббревиатуры?  Неправда ли? Как все это работает и взаимодействует? На эти вопросы мы непременно ответим, но сначала расшифруем некоторые тайминги.

CAS# Latency (tCL) – тайминг, в управление которого входит задержка времени по периодам синхронизирующих импульсов и определение цикла таймера для завершения первой пакетной передачи данных. Чем меньше значение tCL, тем лучше, т.е. быстрее происходит транзакция.

RAS# to CAS# Delay (tRCD) – параметр, характеризующий задержку в циклах между стробами RAS# и CAS#. Функция задержки сводится к тому, что необходимо время для определения адреса строки и столбца. Очевидно, что чем меньше значение, тем быстрее выполняется определение адресов строк и столбцов, что, соответственно, отражается на быстродействии памяти в положительную сторону.

Row Precharge (tRP) – длительность подзарядки строки. Параметр позволяет определить быстрое (Fast) или медленное (Slow) накопление заряда по линии RAS#, т.е. тайминг устанавливает количество циклов, необходимых для того, чтобы RAS# накопил заряд, прежде чем обновится SDRAM. Опять же чем меньше tRP, тем лучше, потому что понадобится меньше циклов для накопления заряда, что, соответственно, положительным образом скажется на быстродействии памяти.

Cycle Time (Tras) – данный параметр характеризует динамику массива, т.е. позволяет изменить минимальное количество циклов памяти SDRAM, требуемых для времени активности ряда (Tras) и цикла памяти SDRAM (Trc). Говоря простым языком, Tras отвечает за быстродействие микросхемы SDRAM.

Напоследок давайте разберемся, как же функционирует память. Изначально контроллер выжидает 2-3 такта, когда выполняется тайминг RAS# to CAS# Delay (tRCD), который определяет адрес строки и столбца.  Затем контроллер памяти выбирает активную строку, после чего отсылается команда чтения, затем следует задержка времени по периодам синхронизирующих импульсов и определение цикла таймера для завершения первой пакетной передачи данных (CAS# Latency (tCL)). Следующим этапом является поступление данных на контакты DQ, затем, когда данные уже поступили, контроллеру памяти необходимо деактивировать строку, за что отвечает параметр Row Precharge (tRP).


       Опубликовать в twitter.com   Опубликовать в своем блоге livejournal.com